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消息面上，1月15日晚間，美國商務部工業(yè)和安全局（BIS）修訂了《出口管理條例》（EAR），修改DRAM先進存儲定義，工藝節(jié)點仍為18nm，存儲單元面積及存儲密度由2024年12月的1ynm變?yōu)?xnm，同時增加TSV通孔數限制，對HBM和先進DRAM的限制再加碼，倒逼產業(yè)鏈國產化加速。

中信證券表示，本次限制針對制造廠商及供應鏈，設計廠商業(yè)務正常開展，看好高端定制存儲業(yè)務，持續(xù)推薦。同時，后續(xù)在本土高端封測廠商和設備廠商的配合下，國內DRAM原廠有望突破HBM，布局相關環(huán)節(jié)的廠商有望核心受益，看好高端存儲產業(yè)鏈國產替代。

信達證券指出，制裁升級或將加速國產替代節(jié)奏，產業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)在自主可控大趨勢下仍具備較大成長空間，建議關注代工：中芯國際、華虹公司等；AI芯片：寒武紀、海光信息等；HBM：通富微電、賽騰股份、華海誠科等；設備：北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技、精測電子等；零部件：茂萊光學、福晶科技、富創(chuàng)精密等；材料：鼎龍股份、安集科技、興森科技等；EDA/IP：華大九天、概倫電子、芯原股份等。

校對：王蔚